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DMN65D8LQ-7  与  BSS138N H6327  区别

型号 DMN65D8LQ-7 BSS138N H6327
唯样编号 A36-DMN65D8LQ-7 A-BSS138N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5Ω@230mA,10V
上升时间 - 3ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.87 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 310mA(Ta) 230mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
下降时间 - 8.2ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) 360mW
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3Ω@115mA,10V -
典型关闭延迟时间 - 6.7ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - BSS138
驱动电压 5V,10V -
典型接通延迟时间 - 2.3ns
库存与单价
库存 519 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
140+ :  ¥0.3705
200+ :  ¥0.2745
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 310mA(Ta) 车规

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
519 当前型号
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A

¥0.5654 

阶梯数 价格
90: ¥0.5654
200: ¥0.258
1,500: ¥0.1605
3,000: ¥0.1275
44,190 对比
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated 通用MOSFET

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
500: ¥0.3692
2,500: ¥0.3406
5,000: ¥0.3185
9,850 对比
DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 310mA(Ta) 车规

¥0.3198 

阶梯数 价格
160: ¥0.3198
500: ¥0.246
4,871 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_60V 230mA 3.5Ω@230mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规

暂无价格 3,000 对比
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A

暂无价格 0 对比

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